当前位置: > > > 稀土掺杂半导体

更新时间:2024-05-04

快讯播报

稀土掺杂半导体快讯

2024-03-28 11:31

证券之星消息,根据企查查数据显示章源钨业(002378)新获得一项发明专利授权,专利名为 " 一种稀土钨棒及其制备方法 ",专利申请号为 CN202410098979.4,授权日为 2024 年 3 月 26 日。专利摘要:本发明属于粉末冶金技术领域,具体涉及一种稀土钨棒及其制备方法,提前对稀土氧化物进行预处理,通过控制稀土氧化物水分含量,可提升压制的钨棒毛坯的强度,在搬运及烧结过程中不易被破坏,成型好;且通过含水稀土氧化物与钨分别分成等份,采用多次交替混料的添加方式进行混料,避免稀土氧化物粉体在混料器内出现死角而混合不均匀,可以改善稀土氧化物在钨粉体中的均匀分布,实施后稀土钨棒的稀土氧化物掺杂均匀;本发明制备的稀土钨棒的密度为 17.8~18.8g/cm3,直径为 20~22mm,钨棒径向截面的晶粒数为 3000~3600 个,不同区域稀土元素含量极差小于 0.05%,孔隙率<5%。今年以来章源钨业新获得专利授权 13 个,较去年同期增加了 30%。结合公司 2023 年中报财务数据,2023 上半年公司在研发方面投入了 2912.15 万元,同比增 18.86%。


2024-03-28 11:31

证券之星消息,根据企查查数据显示章源钨业(002378)新获得一项发明专利授权,专利名为 " 一种稀土钨棒及其制备方法 ",专利申请号为 CN202410098979.4,授权日为 2024 年 3 月 26 日。专利摘要:本发明属于粉末冶金技术领域,具体涉及一种稀土钨棒及其制备方法,提前对稀土氧化物进行预处理,通过控制稀土氧化物水分含量,可提升压制的钨棒毛坯的强度,在搬运及烧结过程中不易被破坏,成型好;且通过含水稀土氧化物与钨分别分成等份,采用多次交替混料的添加方式进行混料,避免稀土氧化物粉体在混料器内出现死角而混合不均匀,可以改善稀土氧化物在钨粉体中的均匀分布,实施后稀土钨棒的稀土氧化物掺杂均匀;本发明制备的稀土钨棒的密度为 17.8~18.8g/cm3,直径为 20~22mm,钨棒径向截面的晶粒数为 3000~3600 个,不同区域稀土元素含量极差小于 0.05%,孔隙率<5%。今年以来章源钨业新获得专利授权 13 个,较去年同期增加了 30%。结合公司 2023 年中报财务数据,2023 上半年公司在研发方面投入了 2912.15 万元,同比增 18.86%。


2023-08-15 09:34

8月3日澳大利亚战略材料公司(ASM)与美国稀土公司(Usare)签署了一项具有约束力的五年销售和收费协议,从其位于韩国的Korean Metals Plant供应钕铁硼合金。总部位于珀斯的ASM表示,钕铁硼合金产品将用于支持Usare在俄克拉荷马州斯蒂尔沃特的工厂增加高性能稀土磁体的生产。钕铁硼合金的供应将于2024年开始,将用于电动汽车、风力涡轮机、电子、国防和半导体行业。该供应协议将满足Usare约60%金属和合金需求,直到其从德克萨斯州自己的Round Top稀土和关键矿床获得材料。ASM的韩国子公司在距离首尔115公里的奥昌经营着Korean Metals Plant。该工厂最初专注于生产钕和钕铁硼产品,但计划扩大生产高纯度钛、锆、铪和铌。


2021-02-25 10:44

拜登正式签署审查行政令:美国当地时间2月24日16:50左右,美国总统拜登正式签署一项行政命令,对四种关键产品的供应链进行为期100天的审查,分别为半导体芯片、电动汽车大容量电池、稀土金属、药品。该行政命令旨在减少美国对某些产品供应链的依赖性,开发美国本土生产力。


稀土掺杂半导体价格行情

点击加载更多

稀土掺杂半导体相关资讯

  • 稀土激光材料

    稀土玻璃是目前输出脉冲能量最大、输出功率最高的固体激光材料,用这种激光材料制成的大型激光器用于热核聚变的研究中3.化学计量激光材料 在这类激光材料中,稀土激活离子不是以掺杂的形式加入的,而是作为晶体的组分之一其潜在的应用是用于集成光学、光通讯、测距,将来光计算机与半导体激光器将有一番竞争 4.稀土上转换激光材料 目前实现的激光波长主要是红和红外波段,极缺蓝和绿激光波段,使激光的发展和应用受到影响。

  • 稀土在航空工业中的应用现状与发展趋势

    作为基片材料,必须满足低介电常数,高热导率,高机械强度,与半导体芯片相匹配的热膨胀系数氮化铝(AIN)多层基片与传统的氧化铝(A1203)基片相比,有较高的导热率,适用于高功耗、高引线数和大尺寸芯片,成为近年来航空及军工行业开发的重点采用稀土氧化钇(Y203,)和氧化钙混合添加剂,可以降低氮化铝的烧结温度,促进烧结这种掺杂后的氮化铝(AIN)陶瓷,导热率260W/(m.K),适于高密度布线,热阻仅为同样结构和相同引线数的氧化铝封装的1/4,这种基片已用于含1800个输入/输出头的计算机系统的多层布线阵列的封装。

点击加载更多
分类检索: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0~9 符号

收起