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更新时间:2024-04-21

快讯播报

氧化铬晶体快讯

2024-02-20 09:24

2月19日,南网能源2023年晶体硅光伏组件框架招标中标结果公布,中标企业分别是一道新能、亿晶光电、协鑫集成,中标单价分别是0.892元/W、0.883元/W、0.899元/W。

招标情况如下:11月28日,南网能源2023年晶体硅光伏组件框架招标,本次光伏组件框架招标容量拟为1400MW,分为3个标包,标包1供货量预估为400MW,标包2、标包3供货量均预估为500MW,其中单玻组件560MW,N型双面组件840MW。


2024-01-11 10:08

据报道,西安交大王宏兴教授团队采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,成功实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的批量化制备。金刚石拥有众多优异性能,采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功率、抗辐照电子器件,克服器件的“自热效应”和“雪崩击穿”等技术瓶颈,在5G/6G通信,微波/毫米波集成电路、探测与传感等领域发展起到重要作用。王宏兴教授担任西安交大宽禁带半导体材料与器件研究中心实验室主任,具有自主知识产权的金刚石半导体外延设备研发、单晶/多晶衬底生长、电子器件研制等系列技术,已获授权48项专利。与国内相关大型通信公司,中国电科相关研究所等开展金刚石半导体材料与器件的广泛合作,促进了金刚石射频功率电子器件、电力电子器件、MEMS等器件的实用性发展。本次科研团队通过对成膜均匀性、温场及流场的有效调控,提高了异质外延单晶金刚石成品率。衬底表面具有台阶流(step-flow)生长模式,可降低衬底的缺陷密度,提高晶体质量,达到世界*水平。


2023-12-13 11:56

三星申请电容器和包括其的器件以及其制备方法专利,电容器可包括导电性钙钛矿型晶体结构。

2023-12-07 08:37

12月5日,据广汽集团官微,广州青蓝半导体有限公司IGBT(绝缘栅双极型晶体管)项目(一期)投产。广州青蓝由广汽部件与株洲中车时代半导体共同投资成立,项目计划总投资4.63亿元,主要围绕新能源汽车自主IGBT领域开展技术研发和产业化应用。一期规划产能为年产40万只汽车IGBT模块;二期规划产能为年产40万只汽车IGBT模块,计划2025年投产。项目全部完成后,可实现总产能80万只/年。

2023-11-13 15:29

【GaSb单晶:锑化物红外光电技术】西方发达国家已经实现2~4英寸GaSb晶片的产品化,并正在开展6英寸及以上更大尺寸、更高质量的GaSb晶片技术研发。国内GaSb单晶技术也发展迅速,2~4英寸GaSb单晶片也实现了批量生产应用,6英寸单晶片加工技术也在研发中。与国外水平相比,国内GaSb晶体质量达到了国际同等水平,但是在晶片表面质量和稳定性方面还需进一步提升。在红外技术应用需求带动下,近年来越来越多的科技企业和机构进入红外领域并开展锑化物材料和器件研发和生产,整个行业的蓬勃发展进一步刺激了对GaSb材料的需求,大尺寸、高质量的GaSb单晶材料的未来产业化发展前景广阔。这项研究获得国家自然科学基金(62374161)的资助和支持。


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    二是新产品不断涌现济南裕兴和四川安县均拥有利用减压蒸发结晶或精制后结晶造粒生产晶体(粒状)铬酸酐的专利技术,后者的产品已投放市场;新疆沈宏自主开发的由铬酸酐电解制得的高纯(99.99%)金属铬近年已出口国外;四川安县生产饲料添加剂用有机酸铬已获饲料生产许可证并生产多年;黄石振华公司发明了纳米氧化铬的制造技术

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