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更新时间:2024-04-23

快讯播报

欧标H型钢INP快讯

2024-03-15 18:13

2024年3月13日,上海微系统所在硅基磷化铟异质集成片上光源方面取得重要进展,中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队,在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量4英寸硅基InP单晶薄膜异质衬底(InPOS),并进一步制备了性能优异的晶圆级硅基1.55mm通讯波段法布里-珀罗腔(FP)腔激光器,得益于高质量的硅基磷化铟单晶薄膜,器件连续波(CW)模式下单面最高输出功率达155mW且未饱和,CW模式最高可工作至120℃,且阈值电流低至0.65kA/cm-2,目前,在输出功率、工作温度和阈值电流密度等主要指标方面均为单片集成获得的硅基C波段FP腔激光器国际已报道的最优值。

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